聚四氟乙烯PTFE俗稱特氟龍,具有優(yōu)良的化學穩(wěn)定性、抗酸堿和有機溶劑的、耐腐蝕,能在-180℃至+250℃的溫度下長期工作,全PTFE特氟龍Wafer鑷子用于夾持6寸、4寸晶圓酸洗操作,即使是高濃度的HF氫氟酸溶液、王水強酸也能適用,它的摩擦系數(shù)極低可防止夾傷克損。
由杜邦公司化學家發(fā)明的一種高分子材料學名聚四氟乙烯Poly tetra fluoroethylene簡寫為PTFE,俗稱“塑料王”,商品名中文俗稱特氟龍、鐵氟龍、特富龍。它是以四氟乙烯作為單體聚合制得的聚合物,材質呈白色蠟狀、半透明,耐熱、耐寒性優(yōu)良,極低的摩擦系數(shù),抗酸抗堿,幾乎不溶于所有的溶劑。廣泛用于航空、化工、電子半導體、橋梁、紡織、機械、造紙、陶瓷等行業(yè)。
聚四氟乙烯分子結構決定了碳氟鍵鍵能大,要破壞或者打斷,需要高能,比如電子加速器
具有極強的化學穩(wěn)定性,對絕大多數(shù)化學藥品和溶劑體現(xiàn)惰性,尤其能耐HF氫氟酸腐蝕(氫氟酸須以特氟龍材質容器盛裝)
耐寒、耐熱能力出眾,可在-180~260℃下長期使用
絕緣性、介電性極佳
摩擦系數(shù)極低,在已知固體材料中摩擦系數(shù)最低
自潤滑效果、不粘附,使用壽命長而無毒害
半導體器件生產過程中必須進行嚴格的wafers晶圓清洗,清除表面有機物和無機物雜志以避免導致各種缺陷。清除污染物有物理清洗和化學清洗兩種,化學清洗是為除去原子、離子不可見的污染,方法較多,有溶劑萃取、酸洗(硫酸、硝酸、王水、各種混合酸等)和等離子體法等。氫氟酸雖然是一種弱酸,但具有極強的腐蝕性,能強烈地腐蝕金屬、玻璃和含硅的物體,因此晶圓酸洗手動夾持工具主要采用PTFE聚四氟乙烯材質鑷子夾。
這種高分子塑料現(xiàn)在未發(fā)現(xiàn)有哪種強酸強堿可以在常溫下對其造成腐蝕,所以即便是濃硫酸和濃硝酸的混合物王水也可以用其盛裝,用聚四氟乙烯做的容器還可以盛放即便是高濃度的氫氟酸。全PTFE特氟龍晶圓鑷子可用于半導體晶圓硅片酸洗過程的夾取,在200度溫度以內,即使是高濃度的HF氫氟酸溶液及強酸王水也不會溶解。
深圳格信達科技銷售各種晶圓拾取工具,包括真空吸筆和晶圓鑷子,適合4寸、6寸、8寸wafer硅片夾取。PTFE-4WF全聚四氟乙烯晶圓鑷子弧形夾頭部寬度35mm,帶限位柱止擋,全長150mm,適用于四寸晶圓及六寸硅片夾取。另有提供不銹鋼手柄款式帶特氟龍夾頭、或聚酯樹脂夾頭、或PEEK鑷子頭型號,以及不銹鋼材質帶綠色特氟龍涂層鑷子,可與我們聯(lián)系選型。
半導體器件生產中硅片須經嚴格清洗。微量污染也會導致器件失效,清洗的目的在于清除表面污染雜質,包括有機物和無機物。這些雜質有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài),有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機污染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等,嚴重影響少數(shù)載流子壽命和表面電導;堿金屬如鈉等,引起嚴重漏電;顆粒污染包括硅渣、塵埃、細菌、微生物、有機膠體纖維等,會導致各種缺陷。
清除污染的方法有物理清洗和化學清洗兩種:
物理清洗(分三種)
刷洗或擦洗——可除去顆粒污染和大多數(shù)粘在片子上的薄膜。
高壓清洗——是用液體噴射片子表面,噴嘴的壓力高達幾百個大氣壓。高壓清洗靠噴射作用,片子不易產生劃痕和損傷。但高壓噴射會產生靜電作用,靠調節(jié)噴嘴到片子的距離、角度或加入防靜電劑加以避免。
超聲波清洗——超聲波聲能傳入溶液,靠氣蝕作用洗掉片子上的污染。但是,從有圖形的片子上除去小于1微米顆粒則比較困難。將頻率提高到超高頻頻段,清洗效果更好。
化學清洗
化學清洗是為了除去原子、離子不可見的污染,方法較多,有溶劑萃取、酸洗(硫酸、硝酸、王水、各種混合酸等)和等離子體法等。其中雙氧水體系清洗方法效果好,環(huán)境污染小。一般方法是將硅片先用成分比為H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的強氧化性,將有機物分解而除去;用超純水沖洗后,再用成分比為H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的堿性清洗液清洗,由于H2O2的氧化作用和NH4OH的絡合作用,許多金屬離子形成穩(wěn)定的可溶性絡合物而溶于水;然后使用成分比為H2O:H2O2:HCL=7:2:1或5:2:1的酸性清洗液,由于H2O2的氧化作用和鹽酸的溶解,以及氯離子的絡合性,許多金屬生成溶于水的絡離子,從而達到清洗的目的。硅片清洗中用各步清洗液處理后,都要用超純水徹底沖洗。